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长光华芯申请一种半导体发光结构的制备方法专利，利用低成本的方式提高了具有反波导的半导体发光结构的制备精度

丘孟 丘孟 2024-07-05 【科普】 449人已围观

摘要金融界2024年7月5日消息，天眼查知识产权信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司申请一项名为“一种半导体发光结构的制备方法的专利”，公开号CN202410725721.2，申请日期为2024年6月。专利摘要显示，本发明提供一种半导体发光结构的制备方法，包括：在半导体衬底层上形成有源层；在有源层背离所述半导体衬底层的一侧形成第一半导体包层；在部分第一半导体包层背离有源层的一侧形成第一掩膜层；以第一掩膜层为掩膜刻蚀部分厚度的第一半导体包层，使第一掩膜层底部的部分厚度的第一半导体包层形成脊波导，

金融界2024年7月5日消息，天眼查知识产权信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司申请一项名为“一种半导体发光结构的制备方法的专利”，公开号CN202410725721.2，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体发光结构的制备方法，包括：在半导体衬底层上形成有源层；在有源层背离所述半导体衬底层的一侧形成第一半导体包层；在部分第一半导体包层背离有源层的一侧形成第一掩膜层；以第一掩膜层为掩膜刻蚀部分厚度的第一半导体包层，使第一掩膜层底部的部分厚度的第一半导体包层形成脊波导，脊波导的宽度小于第一掩膜层的宽度；在脊波导两侧的第一半导体包层上形成第二掩膜层，第二掩膜层与第一掩膜层的横向距离大于零；在第一掩膜层和第二掩膜层之间的第一半导体包层上形成位于脊波导两侧且与脊波导间隔的反波导，反波导的折射率高于所述脊波导的折射率。本发明采用低成本的方式，长光华芯申请一种半导体发光结构的制备方法专利，利用低成本的方式提高了具有反波导的半导体发光结构的制备精度提高了具有反波导的半导体发光结构的制备精度。

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